ST官方标准库V3.5默认的外部晶振频率为8M，实际使用中外部晶振需要修改为16M； 经过实验，修改有效，具体的patch如下： 修改 HSE_VALUE 值 diff --git "a/Libraries/CMSIS/CM3/DeviceSupport/ST/STM32F10x/stm32f10x.h" "b/Libraries/CMSIS/CM3/DeviceSupport/ST/STM

一、换内存，拆闪存： 1、先原机开机试试是否功能正常； 2、拆机，比较难拆，容易坏外壳； 3、找到内存和闪存，用胶带把边上的小元件，电阻都贴好； 4、加助焊油，用风枪拆掉内存，这个比较难，新手要注意，温度要在350以上； 5、清理焊盘，加助焊油，用电烙铁将新的64M内存焊上。 6、插电开机测试，64M内存是否正常使用，如果灯全亮有可能是虚焊或连锡； 7、用电烙铁或风枪拆掉BIOS闪存

1. 现象          测试发现，GD25LQ256D 在使用GD25LQ256D的时候发现，使用B7指令将flash切换到4字节地址后，如果访问的区间跨过了16M的界限，则读到的数据还是前16M的。0xC8,0x1A,0x61，0xD9都是对的，但0xff，0xff，0xff，0xff却是存储在0x00000000地址内的数据，如图1. 图1 GD25LQ256D