阻器专题

【论文合集 2】- 基于忆阻器的存内计算

基于忆阻器的存内计算(In-Memory Computing, IMC)是一种新兴的计算范式,它利用忆阻器(Memristor)的物理特性来执行计算任务,并将计算过程集成在存储器中。这种架构旨在解决传统冯·诺依曼架构中存在的数据传输瓶颈问题,通过减少数据在处理器和存储器之间传输的需求,从而提高计算效率和降低能耗。本节例举了基于MRAM,RRAM存储器的存内计算范式。 【1】A Survey

HP忆阻器内存和IBM原子磁盘双剑合璧会怎么样

转载本号文章请注明作者、出处和二维码及全文信息,否则视为侵权。 古墓派剑法和全真剑法双剑合璧后威力无比,就连金轮法王都甘拜下风;那HP忆阻器内存技术和IBM原子磁盘双剑合璧后,是否就所向无敌、独孤求败呢。今天文章开头调皮了下,各位读者别往心里去,毕竟搞技术、编码和练武功还是一码归一码,没什么可比性;如果您已是人码合一那就另当别论。 HP在2015 Discover Conference会议中

忆阻器芯片STELLAR权重更新算法(清华大学吴华强课题组)

参考文献(清华大学吴华强课题组) Zhang, Wenbin, et al. “Edge learning using a fully integrated neuro-inspired memristor chip.” Science 381.6663 (2023): 1205-1211. STELLAR更新算法原理 在权值更新阶段,只需根据输入、输出和误差的符号计算权值更

忆阻器(Memristor)——入门知识

四种无源基本电路元件及其关系 在忆阻器领域, φ \varphi φ最好理解为电压对时间的积分,因为忆阻器的物理机制与磁场的关系不大。 忆阻器能够通过电阻值的变化记忆流经的电荷或磁通量。 具有捏滞回线特征的材料及物理机制 材料 二元氧化物;复杂钙钛矿氧化物;固态电解质材料;非晶碳材料;有机高分子材料等。 物理机制 氧空位迁移导致的导电通道的形成与断裂;界面势垒调制;活性电极金属化反应