01  NAMD 背景介绍        在各类光物理与光化学过程当中，均会牵涉到激发态载流子动力学过程，诸如电荷弛豫、复合以及输运等等。光激发或者电子注入将初始的平衡状态打破，所产生的热载流子在其演化进程中，会与原子核产生强烈耦合。此时，将电子自由度与原子核自由度分开考虑的绝热近似不再适用，需要引入非绝热过程。        根据计算精度和体系大小，人们可以从不同的理论框架下发展非绝热方法。

《半导体物理学（第八版）》10 min 速通 金属与半导体的接触 7.1 金属与半导体的接触及其能带图7.1.1 金属和半导体的功函数7.1.2 接触电势差7.1.3 表面态对接触势垒的影响 7.2 金属半导体接触整流理论7.2.1 扩散理论7.2.2 热电子发射理论7.2.3 镜像力和隧道效应的影响7.2.4 肖特基势垒二极管 7.3 少数载流子的注入与欧姆接触 快期末考试了，

MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于数字和模拟电路中。在某些情况下，即使MOSFET的沟道被夹断（也称为沟道凹陷或沟道夹断效应），它仍然能够将恒定的载流子（电子或空穴）发送到电路中。这种现象对于理解MOSFET的高级行为和设计高性能电路至关重要。以下是一篇专业文章，详细解读了这一现象。 本文深入探讨了MOSFET在沟道夹断状态下的载流子传输机制

根据我的理解，漂移是指在电场作用下的运动，扩散是指在浓度差驱使下的运动。在PN结中，P区由于富含空穴，N区富含电子，电子向P区扩散，于是在PN结P处累积了N区扩散来的电子，而N区因电子转移到P区变成空穴剩余。在结处，从N区转移到P区的电子和N区剩余的空穴构建了一个内建电场，当N区向P区扩散的电子数目达到一定程度的时候，内建电场的强度刚好增长到不能使更多的电子扩散到P区，于是在PN结处形成一个动态平

深层理解MIS结构，助力金半接触载流子注入效率的提升 众所周知，高AlN组分AlGaN材料的欧姆接触一直是困扰业界的一大难题。我司技术团队借助Crosslight公司先进的半导体器件设计平台，发现当在n型AlGaN层与金属接触电极之间插入绝缘薄层时 (i.e., Metal/Insulator/Semiconductor:MIS)，可有效屏蔽界面处的肖特基势垒，因此可显著抑制AlGaN材料表面耗尽

一、三极管的三种连接方式     三极管在电路中的连接方式有三种：①共基极接法；②共发射极接法，③共集电极接法。如图Z0115所示。 共什么极是指电路的输入端及输出端以这个极作为公共端。必须注意，无论那种接法，为了使三极管具有正常的电流放大作用，都必须外加大小和极性适当的电压。即必须给发射结加正向偏置电压，发射区才能起到向基区注入载流子的作用；必须给集电结加反向偏置电压（一般几～几十伏），在集电