蓝宝石衬底材料具有广阔消费市场 行业景气度良好 衬底是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，既可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片，是电子元件的主体结构和支撑载体。蓝宝石衬底材料具有良好的透光性、耐磨性、化学稳定性，其制造技术相对成熟，是LED等的理想衬底材料。 　　蓝宝石衬底材料产业链上游为高纯氧化铝等原材料以及研磨设备、抛光设备的供应；下游广泛应用于

Micro and Nanostructures 189 (2024) 207815文献于阅读总结。 本文是关于使用SiC衬底AlN/GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的研究，特别是探讨了不同缓冲层对器件性能的影响，以应用于高速射频（RF）应用。研究主要关注如何选择一个成本效益高、厚度超过1微米且缺陷较少的缓冲层，以改善直流（DC）和射频（RF）性能。研究中特别提到了使用β-Ga2

铝酸镁钪（ScMgAlO4） ScAlMgO4晶体是最近发展起来的一种GaN和ZnO异质外延用理想的衬底材料，是目前与GaN和ZnO晶格失配最小的新型衬底材料。ScAlMgO4晶体属于六方晶系，晶格常数a=0.3246nm，c=2.5195nm，具有菱形六面体层状结构，与纤锌矿氮化物和氧化锌的结构相似。 ScAlMgO4是一种与GaN和ZnO 晶格常数和结构非常匹配的衬底材料（表1）。它与Ga

引言 通过有效控制AlN薄膜与Si衬底之间的界面反应，利用脉冲激光沉积（PLD）在Si衬底上生长高质量的AlN外延薄膜。英思特对PLD生长的AlN/Si异质界面的表面形貌、晶体质量和界面性能进行了系统研究。 我们研究发现，高温生长过程中形成非晶SiAlN界面层，这是由于高温生长过程中烧蚀AlN靶材时，衬底扩散的Si原子与脉冲激光产生的AlN等离子体之间发生了严重的界面反应所致。相反，通过在合适