自整专题

【数字ic自整资料】存储器及不同端口RAM对比

参考资料 【FPGA】zynq 单端口RAM 双端口RAM 读写冲突 写写冲突_双口ram-CSDN博客 华为海思数字芯片设计笔试第五套_10、下列不属于动志数组内建函数的是: a lengtho b. new c. delete() d-CSDN博客 目录 1、计算器典型存储体系结构 2、三种不同端口RAM (1)单端口RAM(Single-port RAM) (2)伪双端口R