麻省理工学院(MIT)的研究人员们宣称已经开发出了一种新技术，能将用于芯片图案蚀刻的高速电子束光刻的分辨率尺度推进到9nm(纳米)，远远超出人们此前的预想。MIT表示，电子束光刻工具之前最小的形体尺寸是25nm，而他们的新发现将会大大延长电子束光刻技术在半导体制造业中的寿命。 MIT透露，他们的这次突破主要得益于两点，一是使用更薄的绝缘层来尽量避免电子散射，二是使用特殊材料对接收电子较多的

国产电子束光刻机实现自主可控，是实现我国集成电路产业链自主可控的重要一环。近日，泽攸科技联合松山湖材料实验室开展的全自主电子束光刻机整机的开发与产业化项目取得重大进展，成功研制出电子束光刻系统，实现了电子束光刻机整机的自主可控，标志着国产电子束光刻机研发与产业化迈出关键一步。 电子束光刻是利用聚焦电子束对某些高分子聚合物（电子束光刻胶）进行曝光并通过显影获得图形的过程。而产生聚焦电子束并让聚焦电

- 可实现高质量、高重复性零件量产 -   东京--(美国商业资讯)--日本电子株式会社(JEOL Ltd., TOKYO:6951)（总裁兼首席运营官：Izumi Oi）宣布于2021年3月26日推出电子束金属增材制造机(Electron Beam Metal AM Machine)——JAM-5200EBM。日本电子采用世界顶级水平的半导体制造用电子显微镜和电子束光刻系统技术，开发出功率更