深亚微米CMOS前段工艺制程（温德通集成电路制造工艺与工程应用） 深亚微米特征尺寸的CMOS前段工艺，与亚微米CMOS工艺最大的区别在于：1）利用STI结构隔离技术；2）形成Co-Salicide；3）是双阱结构（NW和PW），如果要全隔离的NMOS器件，那么就需要DNW（deep NW），为形成Non-Salicide区域还需要用到SAB掩模版；4）如果考虑高阻值多晶硅电阻，还要用到HRP（H