来源：Modeling of Short-Channel Effects in GaN HEMTs（TED 20年） 摘要 在本文中，我们提出了一种用于估算GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中短沟道效应（SCEs）的显式和解析的基于电荷的模型。该模型源自洛桑联邦理工学院（École Polytechnique Fédérale de Lausanne，EPFL）HEMT模型的物理电荷基础