特征 特点·-16V/-12A, Rps (on) =10mQ(Typ.)@Ves=-4.5V Ros (on) =14mQ(Typ.)@Vcs=-2.5V 低罗斯（开） 超高密度电池 设计 - 可靠且坚固 应用 负载开关 • PWM 应用 • 能源管理 阅读我的更多文章 常用电子元器件应用要点及识别方法，知识点很专业！大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原

目录 标题作者期刊阅读日期知识积累研究内容文章创新点研究方法得出结论 标题 A Novel SiC Asymmetric Cell Trench MOSFET With Split Gate and Integrated JBS Diode（一种带有分离栅极和集成 JBS 二极管的新型 SiC 非对称单元沟槽 MOSFET） 作者 JINPING ZHANG (Member,