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NAND Flash核心技术传奇发明人施敏,他是被诺奖选择性失忆的 遗珠”
轻薄短小的智能手机已成为我们日常生活中最重要的随身物品,当中的存储容量也越来越大,未来 5G 手机普及,1TB 容量将是标配。在这个小小装置的背后,要感谢当中两大关键技术的发明人,一是 NAND Flash 的发明人日本电子工程学家 Masuoka Fujio,另一个则是 NAND Flash 核心技术非挥发性存储(Non-Volatile Memory)的发明者施敏。 施敏发明的非挥发性存
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