引言 氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化学蚀刻来蚀刻或图案化GaN是非常困难的。与湿法蚀刻技术相比，干法蚀刻技术可以提供各向异性的轮廓、快速的蚀刻速率，并且已经被用于限定具有受控轮廓和蚀刻深度的器件特征。 实验与讨论 我们用金属有机化学气相沉积法在(000±1)蓝宝石衬底上生