来源：Modeling and Analysis of Normally-OFF p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT as an ON-Chip Capacitor（TED 20年） 摘要 提出了一种精确基于物理的解析模型，用于描述p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅电容。该模型在形成泊松方程时考虑了p-GaN帽层中受主的不完全离子化以及Mg受主向A