MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于数字和模拟电路中。在某些情况下，即使MOSFET的沟道被夹断（也称为沟道凹陷或沟道夹断效应），它仍然能够将恒定的载流子（电子或空穴）发送到电路中。这种现象对于理解MOSFET的高级行为和设计高性能电路至关重要。以下是一篇专业文章，详细解读了这一现象。 本文深入探讨了MOSFET在沟道夹断状态下的载流子传输机制

之前在给一个朋友讲mos管的预夹断的时候，忽然发现自己原来的理解和教材上讲的有出入，经过查资料和思考，总算弄清楚了自己的理解误区。 先放两张图，一张是mos管的结构图，一张是预夹断时候的mos管图。 原先的错误理解 原先认为由于D区电压高，S区电压低，那么D极对电子的吸引力更强，更容易形成N沟道，而S区对电子的吸引力较弱，更不容易形成N沟道，所以夹断的话应该是S极那边夹断，显然和教材中