外延专题

产品经理的第一堂课(七):内聚还是外延

今天看了一篇文章《 破解Myspace成功之谜》,收获很大。文章总结了myspace成功的三个关键: 1、myspace提供的是每个用户都需要的基本网络服务,这个服务类似邮件系统一样,每天至少上去一次,甚至像MSN一样每天都会在线。 2、myspace是内聚型发展模式,它和外延式发展模式最大的不同就是,内聚型发展依靠用户和用户之间的人际关系来进行传播,而外延式发展则以原有网站的庞大用户群

epi 外延炉 简介

因半导体制造工艺复杂,各个环节需要的设备也不同,从流程工序分类来看,半导体设备主要可分为晶圆制造设备(前道工序)、封装测试设备(后道工序)等。 本文介绍影响着晶体管性能和可靠性的外延炉。 外延炉是一种用于生产半导体材料的设备,其工作原理是在高温高压环境下将半导体材料沉积在衬底上。 硅外延生长,是在具有一定晶向的硅单晶衬底上,生长一层具有和衬底相同晶向的电阻率且厚度不同的晶格结构完

半导体设备之外延炉简述

半导体设备对整个半导体行业起着重要的支撑作用。因半导体制造工艺复杂,各个环节需要的设备也不同,从流程工序分类来看,半导体设备主要可分为晶圆制造设备(前道工序)、封装测试设备(后道工序)等。 本文介绍影响着晶体管性能和可靠性的外延炉。 外延炉是一种用于生产半导体材料的设备,其工作原理是在高温高压环境下将半导体材料沉积在衬底上。 硅外延生长,是在具有一定晶向的硅单晶衬底上,生长一层具有和

Si(111)衬底上脉冲激光沉积AlN外延薄膜的界面反应控制及其机理

引言 通过有效控制AlN薄膜与Si衬底之间的界面反应,利用脉冲激光沉积(PLD)在Si衬底上生长高质量的AlN外延薄膜。英思特对PLD生长的AlN/Si异质界面的表面形貌、晶体质量和界面性能进行了系统研究。 我们研究发现,高温生长过程中形成非晶SiAlN界面层,这是由于高温生长过程中烧蚀AlN靶材时,衬底扩散的Si原子与脉冲激光产生的AlN等离子体之间发生了严重的界面反应所致。相反,通过在合适

香飘飘的想象空间:全面创新驱动外延与内涵双增长,未来可期

面对时常会发生代际更替的消费者主力群体,创新已经成为一种商业上的必须。 日前,香飘飘发布了三季报,数据显示,第三季度,香飘飘营业收入8.08亿元,同比增长20.41%。前三季度,香飘飘营收19.79亿元,同比增长29.31%;归母净利润348.39万元,实现同比扭亏。 受宏观经济压力、以及需求端恢复疲软等诸多因素影响,大消费板块年内走势低迷,1-9月社零总额同比增加6.8%,饮料类

42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法

1 范围 本文件描述了采用红外反射法测试碳化硅外延层厚度的方法。 本文件适用于 n 型掺杂浓度大于1×10¹⁸ cm⁻³ 的碳化硅衬底上同质掺杂浓度小于1×10¹⁵ cm⁻³ 的 同质碳化硅外延层厚度的测试,测试范围为3μm~200μm。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期

2023年全球市场氮化铝外延片总体规模、主要生产商、主要地区、产品和应用细分研究报告

按收入计,2022年全球氮化铝外延片收入大约9百万美元,预计2029年达到25百万美元,2023至2029期间,年复合增长率CAGR为 16.1%。同时2022年全球氮化铝外延片销量大约 ,预计2029年将达到 。2022年中国市场规模大约为 百万美元,在全球市场占比约为 %,同期北美和欧洲市场分别占比为 %和 %。未来几年,中国CAGR为 %,同期美国和欧洲CAGR分别为 %和 %,亚太地区将扮