来源:Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si(TMTT 23年) 摘要 该文章提出了一种针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)的准物理等效电路模型,旨在模拟基板中的射频
来源:Analysis and Modeling of Cross-Coupling and Substrate Capacitances in GaN HEMTs for Power-Electronic Applications( TED 17年) 摘要 本文提出了一种考虑了基板电容与场板之间交叉耦合效应的场板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电容模型。通过进行TCAD模拟