终端设计的目的：降低元胞扩展的耗尽层的曲率，采用场限环、场板等结构把电场的峰值从芯片的表面引入体内，从而提高击穿电压。 1. 单浮空场限环         图 2-9 中左边的 P+ 区域相当于元胞区最后一个 Pbody，通常叫做主结，右边的 P+ 区是终端的单个浮空场限环。图中 Ws 为主结与场限环之间的间距，为了使场限环的作用达到最大，Ws 有最优值。         浮