标题：Capacitance Modeling in Dual Field-Plate Power GaN HEMT for Accurate Switching Behavior（TED.16年） 摘要 本文提出了一种基于表面电位的紧凑模型，用于模拟具有栅极和源极场板（FP）结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的电容特性。在HEMT中加入FP结构可以提高击穿电压、减少栅极漏