单管专题

西南科技大学模拟电子技术实验三(BJT单管共射放大电路测试)预习报告

一、计算/设计过程 说明:本实验是验证性实验,计算预测验证结果。是设计性实验一定要从系统指标计算出元件参数过程,越详细越好。用公式输入法完成相关公式内容,不得贴手写图片。(注意:从抽象公式直接得出结果,不得分,页数可根据内容调整) 二、画出并填写实验指导书上的预表              电压计算值      电流计算值 UB/V  UC/V  UE/V URh2+RP/V

600 V单管IGBT,可在电源应用中实现出色效率

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia (安世半导体)今日宣布,将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT,满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度,包括工业电机驱

C# socket 多线程多管道可断点传送大文件(附单线程单管道传送)

这里只发布核心代码。源码及测试程序请点这里下载,谢谢。 有啥BUG,问题请发送email至ilovehaley.kid@gmail.com ,谢谢。:D   代码 1 #define Sleep 2   // #undef Sleep 3   // #define TransmitLog 4   #undef TransmitLog 5   // #define