知识星球（星球名：芯片制造与封测社区）里的学员问：昨天的直播里说单晶硅片在出货前要检测一些项目，请问具体会检测哪些指标？ 我们以4寸的单晶硅片为例： 如上图：1，晶向：<100>表示硅晶圆的晶体学方向。这种方向对晶圆上器件的电子特性和制造工艺有重要影响。2，类型：P (Boron) with one primary flat 表示晶圆是P型硅，即通过掺杂硼来产生多余的空穴。"one pri

本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。 通过采用研磨和离子研磨的方法制备了横截面透射电镜样品，反射率测量是使用基于光纤，光学排列进行的，利用日立S-4800扫描电子显微镜(SEM)、200keVJEOL2010F

目录 3.2.2等径生长过程图像预处理 3.2.3数据增广与统计 基于改进Yolov4-tiny算法的单晶硅晶线检测

目录 前言 国内外研究现状 相关理论技术简介 2.1传统图像目标检测方法

全球与中国单晶硅晶圆（300毫米）行业运营现状与期间规划动向预测报告2022-2028年版 * 全球半导体晶圆产业市场高度集中，主要被日本，德国，，台湾等国家和地区的知名企业所占领。 全球排名前五的300mm硅晶圆公司规模相对较大，2019年的总收入市场份额为95.56％。 2021年，全球单晶硅晶圆（300毫米）市场规模达到了485亿元，预计2026年将达到687亿元，年复合增长率

&nbsp; &nbsp; 制造单晶硅片的过程比你想象的要复杂得多。这个过程需要精密的设备、高科技的材料，以及精细的控制。其中最主要的制造方法被称为Czochralski法，简称CZ法。这个方法由波兰化学家Jan Czochralski于1916年发明，至今仍是制造单晶硅片的主要方法。 &nbsp; &nbsp;CZ法制单晶硅片一般会包括七个大步：硅原料的准备，熔炉的准备，熔化多