低导通专题

低导通电阻、汽车级STD20NF06LAG,STO47N60M6、STO33N60M6、STO36N60M6 600V MDmesh™ M6 功率MOSFET

1、STD20NF06LAG 汽车级N沟道60V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET STripFET VI™功率MOSFET是采用ST专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术,可实现高效率和低RDS(on) ,满足各种汽车和工业开关应用的需求,如电机控制、UPS、直流/直流

SQ4840EY-T1_GE3具有低导通电阻和低电压降 汽车级 N沟道功率MOSFET

SQ4840EY-T1_GE3是一款高性能的车规级电子IC芯片,它具有多种功能和特点,适用于各种电子设备和应用领域。采用了先进的工艺技术,具有高性能和稳定的特点。它采用了先进的封装技术,能够在广泛的温度范围内正常工作,适应各种复杂的工作环境。使得它可以广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备和消费电子等领域。 SQ4840EY-T1_GE3还具有多种功能,可以满足不同应用的需求。它具有高速数据传输