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ZnO电阻片在低电场区域的泄漏电流及其电阻的负温度系数
在低电场区域,流过ZnO非线性电阻的泄漏电流小于1mA.泄漏电流不仅与施加的电压幅值有关,而且与温度高低有关。图2.6表示温度对泄漏电流的影响,温度越高,电子在电场作用下定向的运动就越激烈,导致泄漏电流增大。因此温度升高将导致电阳值下降,即ZnO 电阻呈现负温度特性。 一般以非线性电阻的直流1mA参考电压的变化来衡量非线性电阻的负温度系数。将Zn0非线性电阻的负温度系数。r定义为在规定的温度T时
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ZnO 阀片氧化锌电阻片老化的基本特征注意事项
探讨ZnO阀片高能氧化锌压敏电阻的老化机理应从其老化现象入手。在长期工作电压作用下,阀片的老化现象因所加的电压种类不同而不同。老化是一种缓慢发展的过程,对老化试验方法也还有待进一步的探讨和完善,因此所介绍的一些老化现象在不同实验室甚至在同一实验室对同一批试品都有不完全相同的结果。下面所介绍的是根据国内外多数实验室的研究成果,在长期交流或直流电压作用下得到的 ZnO 阀片老化的基本特征。 EA
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铝酸镁钪(ScMgAlO4)是一种与GaN和ZnO 晶格常数和结构非常匹配的衬底材料
铝酸镁钪(ScMgAlO4) ScAlMgO4晶体是最近发展起来的一种GaN和ZnO异质外延用理想的衬底材料,是目前与GaN和ZnO晶格失配最小的新型衬底材料。ScAlMgO4晶体属于六方晶系,晶格常数a=0.3246nm,c=2.5195nm,具有菱形六面体层状结构,与纤锌矿氮化物和氧化锌的结构相似。 ScAlMgO4是一种与GaN和ZnO 晶格常数和结构非常匹配的衬底材料(表1)。它与Ga
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