引言 在过去的几年中，MOSFET结构从平面结构改变为鳍型结构(FinFETs ),这改善了短沟道效应，并导致更高的驱动电流泄漏。然而，随着栅极长度减小到小于20nm，进一步小型化变得越来越困难，因为它需要非常窄的鳍宽度，这导致驱动电流恶化。 在亚纳米工艺中，SiGe有望用于p-FET沟道，而Si仍然作为n-FET的沟道材料，就双沟道结构的各向异性干法刻蚀而言，需要同时刻蚀Si和SiGe。然而