sbd专题
GaN肖特基势垒二极管（SBD）的多阴极应用建模与参数提取
GaN Schottky Barrier Diode (SBD) Modeling and Parameter Extraction for Multicathode Application（TED 24年） 摘要 本文提出了一种适用于多阴极应用的紧凑型可扩展GaN肖特基二极管大信号模型。详细给出了外在和内在模型参数的可扩展规则。实验和理论结果表明，在相同偏置条件下，不同阴极数量的二极管之间可
SBD（Schottky Barrier Diode）与JBS（Junction Barrier Schottky）
SBD和JBS二极管都是功率二极管，具有单向导电性，在电路中主要用于整流、箝位、续流等应用。两者的主要区别在于结构和性能。 结构 SBD是肖特基二极管的简称，其结构由一个金属和一个半导体形成的金属-半导体结构成。 JBS是结势垒肖特基二极管的简称，其结构是在SBD的基础上，在肖特基势垒下方加入了均匀间隔的p+阱。 性能 SBD具有低正向压降、高开关速度等优点，但反向漏电流较大，可靠性
DeepSnake源代码阅读笔记----process on Sbd datasets
DeepSnake 源代码阅读笔记 本篇主要分析Deep Snake for Real-Time Instance Segmentation 文献中代码的实现，其开源代码地址为：https://github.com/zju3dv/snake。 [good18Levin]((6条消息) 论文阅读_fighterflyfly的博客-CSDN博客) 的deepsnake代码阅读记录对我启发很大，该
读取SBD实例分割数据集
VOC可以用于实例分割SegmentationObject: 也是物体分割后的结果，总共2913张png图片。 SegmentationClass: 语义分割标签，2913张png图片，图片是一样的，只是语义和实例分割的标签不一样，2913有1449用于validation，1464用于train， SBD有11355张，训练集可以用于实例分割，实例分割标签在inst，语义分割是cls，不过都是m
SBD算法详解与相关python代码
本文为原创，转载请注明出处，谢谢！ https://blog.csdn.net/qq_22135585/article/details/108830390 当涉及到延时情况，如kpi数据，在判断两两特征相关性的时候就不得不考虑SBD算法了。 通过SBD算法，我们可以在不清楚延迟的情况下找到两组数据的相关性，以下来进行详细讲解。 SBD算法 对于时间序列X()及时
GaN基准垂直肖特基功率二极管(SBD)的设计与制备
依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN基准垂直肖特基功率二极管），并在蓝宝石衬底上制备了该器件结构。技术团队对所制备的器件进行了电流-电压测试[图1(a)]，通过在器件侧壁及台面边缘处制备场板结构，有效降低了台面边缘处的电势及电流密度[图1(b)和(c)]，从而
书读薄——电子：肖特基二极管SBD
肖特基二极管：Schottky Barrier Diode（SBD） 特性：肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快。 对比：肖特基二极管与普通二极管的区别主要是普通二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁； 用途：可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用。 符号：
新成果展示：p-NiO插入终端结合MOS结构实现高性能GaN基SBD
依托先进的半导体TCAD仿真平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队设计了一种具有p-NiO插入终端结合侧壁MOS场板的混合式肖特基势垒二极管结构（Hybrid TMBS），期望通过该设计能同时改善传统GaN基SBD的正向导通特性和反向击穿特性。 图1展示了技术团队设计的Hybrid TMBS器件结构（Device A3），该结构的设计核心是利用p-NiO插入终端结合侧壁场板MOS结构形成混合式肖
三菱开发SBD嵌入式SiC MOSFET
新的芯片结构防止了浪涌电流拥挤，并将有助于缩小铁路牵引系统的规模 三菱电机开发了一种嵌入肖特基势垒二极管（SBD）的SiC MOSFET的新结构，该公司已将其应用于用于铁路和直流电力系统等大型工业设备的SiC功率模块FMF 800 DC-66 BEW2。 样品于5月31日开始发货。该芯片的新结构预计将有助于缩小铁路牵引系统的规模，提高其能效，并通过增加直流输电的采用，促进碳中和。
《涨知识啦23》—— SBD的电流输运机制
大家好，本周小赛给大家介绍的是《涨知识啦》系列内容：肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制。 图1展示了SBD外加正向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-5分别为： 热激发电流 （半导体一侧的电子跨过势垒进入金属）隧穿电流 （电子隧穿通过势垒）复合电流 （耗尽区中的电子空穴发生复合）电子扩散流 （耗尽区中的电子扩散）空穴扩散流 （耗尽区中的空穴扩散） 图1正向偏置时，
横向AlGaN/GaN基SBD结构及物理模型数据库的开发
GaN基功率器件凭借其临界电场高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优良性能在大功率快充、充电桩、新能源汽车等领域具备广泛应用空间。为进一步助推半导体高频、高功率微电子器件的发展进程，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台成功开发出了横向AlGaN/GaN基SBD模型数据库，并系统地研究了场板结构参数以及温度对器件电学特性的影响。该数理模型包含了GaN材料的表
横向AlGaN/GaN基SBD结构及物理模型数据库的开发
GaN基功率器件凭借其临界电场高、电子饱和漂移速度大、热导率高等优良性能在大功率快充、充电桩、新能源汽车等领域具备广泛应用空间。为进一步助推半导体高频、高功率微电子器件的发展进程，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台成功开发出了横向AlGaN/GaN基SBD模型数据库，并系统地研究了场板结构参数以及温度对器件电学特性的影响。该数理模型包含了GaN材料的表