标题：A Surface-Potential-Based Compact Model for AlGaN/GaN MODFETs 来源：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（11年） 摘要 - 本文首次构建了基于表面势（SP）的AlGaN/GaN调制掺杂场效应晶体管（MODFET）模型。 首先，提出了一个闭合形式的解析近似，用于描述AlGaN/GaN界面处