mc14069ubdr2g专题
MC14069UBDR2G六角逆变器
MC14069UB六角形逆变器采用MOS P沟道构建和单通道中的N通道增强模式器件结构体。 这些逆变器主要用于低功率需要耗散和/或高抗噪性。 六个中的每一个逆变器是最小化传播延迟的单一阶段。 特征 •电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc •能够驱动两个低功率TTL负载或一个额定温度下的低功率肖特基TTL负载范围 •所有输入上的三重二极管保护 •CD4069UB的针脚替换 •符合JEDE
MC14069UBDR2G六角逆变器
MC14069UB六角形逆变器采用MOS P沟道构建和单通道中的N通道增强模式器件结构体。 这些逆变器主要用于低功率需要耗散和/或高抗噪性。 六个中的每一个逆变器是最小化传播延迟的单一阶段。 特征 •电源电压范围= 3.0 Vdc至18 Vdc •能够驱动两个低功率TTL负载或一个额定温度下的低功率肖特基TTL负载范围 •所有输入上的三重二极管保护 •CD4069UB的针脚替换 •符合JEDE