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MBR30100CT-ASEMI低压降肖特基MBR30100CT

编辑:ll MBR30100CT-ASEMI低压降肖特基MBR30100CT 型号:MBR30100CT 品牌:ASEMI 封装:TO-220 批号:最新 恢复时间:35ns 最大平均正向电流(IF):30A 最大循环峰值反向电压(VRRM):100V 最大正向电压(VF):0.70V~0.90V 工作温度:-65°C~175°C 芯片个数:2 芯片尺寸:mil 正向浪涌

MBR30100CT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR30100CT

编辑-Z MBR30100CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是122MIL,是一款大功率肖特基二极管。MBR30100CT的浪涌电流Ifsm为275A,漏电流(Ir)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR30100CT采用金属硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MBR30100CT的电性参数是:正向电流(Io)为30A,反向耐压为100V,正向电压(VF)