DDR基础之Write_leveling简介 2016年11月24日 09:31:37 雄关迈步 阅读数：2676 1）为了更好的提高信号完整性，DDR3存储模块采用了fly-by的拓扑结构。该拓扑应用于地址、控制、时钟线。Fly-by拓扑能有效减少stub的长度，但是较长的走线带来了CK-CK#与DQS-DQS#间的时延（由于CK-CK#的飞行时间，其到达每个DDR3颗粒的时间不同，而DQS

1.前言 上一篇我们讨论了云计算设计模式之优先级队列模式,介绍了在消息队列中,按照消息的优先级来决定消息的被处理顺序.这一篇我们来讨论下如何基于队列的负载均衡模式. 2.概念 在传统的应用中,我们并没有使用消息队列,因为并发的请求量很小.在并发量很大的情况下,我们就需要使用消息队列来做一个缓冲,确保消息被处理的过程中不会并发太多而导致系统崩溃,所以,队列是一种负载均衡的机制,这种机制确保了系

为了测试不同WL算法的性能影响，论文中在随机写压力下设定了两个参数：r，写IO比例；h，热数据比例。后续的测试基本采用的r／h＝0.9/0.1的IO负载。 在这种工作负载压力下，PWL算法的在80遍写盘后的写放大增加了11.49，这个写放大已经非常严重了。 上图，根据CDF（Cumulative Distribution Function，即累积分布函数）曲线来看，在不同的工作

SSD的存储介质是什么，它就是NAND闪存。那你知道NAND闪存是怎么工作的吗？其实，它就是由很多个晶体管组成的。这些晶体管里面存储着电荷，代表着我们的二进制数据，要么是“0”，要么是“1”。NAND闪存原理上是一个CMOS管，有两个栅极，一个是控制栅极(Control Gate), 一个是浮栅(Floating Gate). 浮栅的作用就是存储电荷，而浮栅与沟道之间的氧化层(Oxide

为了提供更好的信号完整性，DDR3的memory controller可以使用write leveling来调整DQS差分对和CK差分对的相对位置，利用DQS差分对路径上的可调整延时来达成该目的。    对于简单的运用，比如on-board DDR memory，并且仅有一颗DDR内存的情况下可以考虑不需要做write leveling。     T型布线，如下图。该布线方式同步切换噪声（Si