引言 本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应性溅射制备的A1N的晶体质量，随着退火温度的增加，材料的湿蚀刻率降低。在1100°C退火后，在80°C蚀刻温度下，蚀刻速率降低了约一个数量级。用金属有机分子束外延生长的In019A1081N在硅上的蚀刻速率大