目录 标题作者期刊阅读日期知识积累研究内容文章创新点研究方法得出结论 标题 A Novel SiC Asymmetric Cell Trench MOSFET With Split Gate and Integrated JBS Diode（一种带有分离栅极和集成 JBS 二极管的新型 SiC 非对称单元沟槽 MOSFET） 作者 JINPING ZHANG (Member,

SBD和JBS二极管都是功率二极管，具有单向导电性，在电路中主要用于整流、箝位、续流等应用。两者的主要区别在于结构和性能。 结构 SBD是肖特基二极管的简称，其结构由一个金属和一个半导体形成的金属-半导体结构成。 JBS是结势垒肖特基二极管的简称，其结构是在SBD的基础上，在肖特基势垒下方加入了均匀间隔的p+阱。 性能 SBD具有低正向压降、高开关速度等优点，但反向漏电流较大，可靠性