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标题：A Five-Parameter Model of the AlGaN/GaN HFET 来源：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（15年） 摘要—我们引入了AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）漏极电流Id（Vgs，Vds）的解析表达式，该表达式是其栅极和漏极电压的函数。我们从HFET的紧凑物理模型中推导出这个函数。所提出的电流表达式由