文章《Temperature rise detection in GaN high-electron-mobility transistors via gate-drain Schottky junction forward-conduction voltages》，由Xiujuan Huang, Chunsheng Guo, Qian Wen, Shiwei Feng, 和 Yamin Zhan

来源：Analysis and Modeling of Cross-Coupling and Substrate Capacitances in GaN HEMTs for Power-Electronic Applications（ TED 17年） 摘要 本文提出了一种考虑了基板电容与场板之间交叉耦合效应的场板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电容模型。通过进行TCAD模拟

来源：A new small-signal modeling and extraction methodin AlGaN/GaN HEMTs（SOLID-STATE ELECTRONICS 07年） 摘要 本文提出了一种新型的用于GaN HEMTs（氮化镓高电子迁移率晶体管）的小信号等效电路，包含20个元件，并相应地开发了一种直接提取方法。与基于GaAs的传统16元件HEMT小信号模型（SSM）