VBsemi推出了型号为SUD50P06-15-GE3的MOS管，丝印型号为VBE2625。这款MOS管属于P沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，包括最大承受电压达到-60V，最大工作电流可达-50A。在标准工作条件下，其导通时的内阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20mΩ@10V和25mΩ@4.5V。此外，其门源电压范围为-20V至+20V，阈值电压（Vth）为-1.76V。该产

型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：P沟道MOSFET- 最大耐压：-40V- 最大电流：-65A- 导通电阻：10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V- 门源电压：20Vgs (±V)- 门阈电压：-1.6Vth- 封装：TO252 应用简介：SUD50P04-08-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于高功率开关和负极电压控制的

SQ4840EY-T1_GE3是一款高性能的车规级电子IC芯片，它具有多种功能和特点，适用于各种电子设备和应用领域。采用了先进的工艺技术，具有高性能和稳定的特点。它采用了先进的封装技术，能够在广泛的温度范围内正常工作，适应各种复杂的工作环境。使得它可以广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备和消费电子等领域。 SQ4840EY-T1_GE3还具有多种功能，可以满足不同应用的需求。它具有高速数据传输