在一些特殊要求的电子产品领域，例如无限次的擦写次数、极快的读写速度或是极恶劣的温度环境下也不丢数据、存储可靠性极度高的特殊产品应用中，传统的存储技术已经不能满足客户需求。而FRAM、NRAM、ReRAM这样的下一代存储技术的出现，对于汽车、医疗、工业等具有特殊需求的行业应用，可满足客户的多种需求。而目前全球能同时具备FRAM、NRAM、ReRAM三种存储技术的厂商并不多，富士通就是其中之一。

虽然EEPROM和FLASH通常被用于非易失性存储器的首选(NVM)在大多数应用中，铁电存储器(FRAM)为能量收集应用如无线传感器节点，智能电表的许多低功耗设计独特的优势，和其他数据采集设计。其扩展的读写周期和数据保留时间，FRAM技术可以帮助设计人员满足要求使用十年，FRAM芯片低功耗运行框架基于MCU的NVM制造商包括Cypress半导体、凯利讯半导体、罗姆半导体、德克萨斯文书。

STM32存储左右互搏 SPI总线FATS读写FRAM MB85RS2M 在中低容量存储领域，除了FLASH的使用，，还有铁电存储器FRAM的使用，相对于FLASH，FRAM写操作时不需要预擦除，所以执行写操作时可以达到更高的速度，其主要优点为没有FLASH持续写操作跨页地址需要变换的要求。相比于SRAM则具有非易失性, 因此价格方面会高一些。MB85RS2M是256K Byte（2M bit）

STM32存储左右互搏 SPI总线读写FRAM MB85RS2M 在中低容量存储领域，除了FLASH的使用，，还有铁电存储器FRAM的使用，相对于FLASH，FRAM写操作时不需要预擦除，所以执行写操作时可以达到更高的速度，其主要优点为没有FLASH持续写操作跨页地址需要变换的要求。相比于SRAM则具有非易失性, 因此价格方面会高一些。MB85RS2M是512K Byte（2M bit）的FRA

新型的NVM主要有FRAM、RRAM、MRAM等，本文主要介绍FRAM的存储结构、对外接口及引脚定义、读写操作以及应用场景等。 技术优势 FRAM（Ferroelectric RAM）存储单元的基本原理是铁电效应，是应用铁电薄膜的自发性极化形式储存的铁电存储器件，由于FRAM通过外部电场控制铁电电容器的自发性极化，与通过热电子注入或隧道效应而完成写入动作的EEPROM以及Flash相比，FRA

宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。 非易失性存储器是一个电表的重要组成部分。该电表周期性地捕获电力消耗和环境数据，并且在分配的时间间隙内，将数据存储到非易失性存储器中，从而可以计算和记录数据。每个周期的时间间隙结束后，智能电子式电表将信息上载到与供应基础设施

本文的目标读者：嵌入式硬件选型、嵌入式软件驱动编写。 1、EEPROM eeprom容量一般为1k~2M比特，根据容量和品牌不同，价格为几毛~几十，擦写寿命一百万次左右，写入前芯片会自动执行擦除。SPI速度一般为1~20M。 读操作：指定起始地址、字节数，就可以连续读出。起始地址任意，不要求必须从页首开始， 字节数也任意，芯片会自动跨页（page）。读操作的驱动程序是很简单的。 写操作：指

【本文发布于https://blog.csdn.net/Stack_/article/details/116353030，未经许可不得转载，转载须注明出处】 FM25W256 一、电路 二、配置SPI（GD32F303） @ CSDN Tyrion.Mon/*** @brief 初始化SPI1* @note SPI1_NSS -- PB12* S

写入FRAM的零时钟周期延迟 一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;所有写操作按总线速率 进行，并非基于存储器延迟。下面两个实例和图1说明写延迟的影响。 实例1: 需要2毫秒将256字节的页面数据通过1MHz 1C总线从控制器传输到EEPROM页面内。然后