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CGH40010F HEMT功率器件的介绍
管子的电流通过需要两个条件。一个是导电沟道的打开,一个是漏源之间存在电压差。CCGH40010 F为GaN管子,且此类管子一般为耗尽型,导电沟道一开始就存在。所以我们加负压使其关闭一部分导电沟道,在上电时应该先加很大的负栅压使其关闭,再加上漏压,然后再增大栅压使其导电沟道打开,在下电的时候,应该先下漏压,使其无电流通过。 AlGaN处于应变状态,层中存在压电极化和自发极化;GaN处于弛豫状态,层
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