本文主要是介绍基于MDK的STM32汇编程序设计,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
文章目录
- 前言
- 一、STM32的三种Boot模式的差异
- 主闪存存储器
- 系统存储器
- 内置SRAM
- 二、基于MDK创建纯汇编语言的STM32工程
- 1.建立工程
- 2.输入代码
- 3.硬件连接
- 4.编译
- 5.进入动态调试
- 6.生成HEX文件
- 三、用汇编程序完成 每间隔1秒钟闪烁一次LED的程序
前言
一. 请说明STM32的三种Boot模式的差异,并在之前第11-12周“C语言各种变量的存储地址”作业代码基础上,研究至少两种boot模式下,代码下载(烧录)运行后所在的地址位置,与理论对比验证。
二. 参考作业附件或者博客 “基于MDK创建纯汇编语言的STM32工程”( https://blog.csdn.net/u010632165/article/details/106481146 ),在Keil下完成一个汇编程序的编写,学习动态调试变量;并注意观察最终生成 hex文件的各段的大小,以及Hex文件前8个字节内容,解释其含义。
三. 在上面Keil 汇编基础上,选择完成下列练习中的任意1个:
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用汇编程序完成1~100 求和 (1+2+3+…+100)的程序,并将计算结果通过串口输出;
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用汇编程序完成一个输出“Hello world”到串口的程序;
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用汇编程序完成 每间隔1秒钟闪烁一次LED的程序。
一、STM32的三种Boot模式的差异
主闪存存储器
这种模式下,STM 32处于正常的读取芯片内部存储空间的程序即运行正常程序。
系统存储器
进入调试模式,可以通过烧录工具把修改好的代码所生成的HEX文件烧录到芯片里面,然后把boot0跳线跳回0,执行代码。
内置SRAM
要注意的是,一般不使用内置SRAM启动(BOOT1=1 BOOT0=1),因为SRAM掉电后数据就丢失,多数情况SRAM只是在调试时使用,也可以做其他一些用途,如做故障的局部诊断,写一段小程序载到SRAM中诊断板的其他电路,或用方法读 写板的Flash或EEPROM等,可以通过种方法解除内部Flash的读写保护,当然解除读写保护的同时Flash的内容也被自动清除,以防恶意的软件拷贝。
二、基于MDK创建纯汇编语言的STM32工程
我使用的是野火指南者STM32F103开发板
1.建立工程
新建一个工程
芯片类型选择"STM32F103VE"
勾选“CORE”和“Startup”
在“Source Group1”中添加新文件
由于要求使用汇编语言,所以我们添加.s文件
2.输入代码
AREA MYDATA, DATAAREA MYCODE, CODEENTRYEXPORT __main__mainMOV R0, #10MOV R1, #11MOV R2, #12MOV R3, #13;LDR R0, =func01BL func01;LDR R1, =func02BL func02BL func03LDR LR, =func01LDR PC, =func03B .func01MOV R5, #05BX LRfunc02MOV R6, #06BX LRfunc03MOV R7, #07MOV R8, #08 BX LR
3.硬件连接
我用的是J-link连接电脑
4.编译
5.进入动态调试
寄存器的值跟程序设置一致
6.生成HEX文件
用记事本打开
HEX文件都是由记录(RECORD)组成的。在HEX文件里面,每一行代表一个记录。 第一行数据 第一个字节 0x02表示本行数据的长度;
第二、三字节 0x00 0x00表示本行数据的起始地址; 第四字节
0x04表示数据类型,数据类型有:0x00、0x01、0x02、0x03、0x04、0x05。 00 Data
Rrecord:用来记录数据,HEX文件的大部分记录都是数据记录 01 End of File Record:
用来标识文件结束,放在文件的最后,标识HEX文件的结尾 02 Extended Segment Address Record:
用来标识扩展段地址的记录 03 Start Segment Address Record:开始段地址记录 04 Extended
Linear Address Record: 用来标识扩展线性地址的记录 05 Start Linear Address
Record:开始线性地址记录 第五、六字节是数据,0x08 0x00 最后一个字节 0xf2为校验和。
三、用汇编程序完成 每间隔1秒钟闪烁一次LED的程序
同上先创建一个工程,不需要配置环境
硬件连接后 编译 下载烧录
最后效果如下:
这篇关于基于MDK的STM32汇编程序设计的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!