海思Hi3559CV100硬件设计Checklist

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客户确认（PASS/NO PASS）

备注

DVDD_media、DVDD、DVDD_CPU、DVDD_GPU电源的供电约束详情见《Hi3559CV100 硬件设计用户指南》中1.2.1小节。

四路CORE电源的实际电压由SVB动态调压电路控制，具体参考Hi3559CDMEB最新原理图。

Hi3559CV100内核电源必须采用SVB调压电路，否则会出现不稳定或死机等不可预知的现象。

内部复位电源上电顺序，请参见《Hi3559CV100 硬件设计用户指南》的1.2.5小节。

内部复位电源下电顺序，请参见《Hi3559CV100 硬件设计用户指南》的1.2.5小节。

外部复位电源上电时序，请参见《Hi3559CV100 硬件设计用户指南》的1.2.5小节

外部复位电源下电时序，请参见《Hi3559CV100 硬件设计用户指南》的1.2.5小节

AVDD08_PLL与DVDD内核电源之间用磁珠（1000Ω@100M）进行隔离，并与周边电容组成π型滤波电路。

AVDD18_PLL与1.8V之间用磁珠（1000Ω@100M）进行隔离，并与周边电容组成π型滤波电路。

AVDD18_DDR0/1_PLL_AC和AVDD18_DDR0/1_PLL_DQ与1.8V之间用磁珠（1000Ω@100M）进行隔离，并与周边电容组成滤波电路。

详细请见《Hi3559CV100 硬件设计用户指南》的1.2.4章节。

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客户确认（PASS/NO PASS）

备注

主芯片需要一个24MHz外接时钟，最大偏差±30ppm。

内置RTC在固定分频模式，计时精度主要取决于外置晶体，请综合考虑晶体频率误差、温度漂移等因素，选择合适的晶体；对计时精度要求较严格的产品，建议选择外置高精度集成RTC。

注意：RTC、PMC和sensor hub模块都需要使用RTC时钟。

晶体及Xin，Xout，RTC_XIN，RTC_XOUT信号走线越短越好且全程做包地处理，保证有完整的参考平面，晶体电路下不能有高速信号穿过。

确保板面干净、整洁，防止锡渣粘连漏电，导致外置RTC晶体高湿环境不起振。

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客户确认（PASS/NO PASS）

备注

当Hi3559CV100选择内部复位时，BJ17管脚复用为SYS_RSTN_OUT功能。

当Hi3559CV100选择外部复位时，BJ17管脚复用为WDG_RSTN功能，此时管脚为OD输出，必须外置上拉电阻。芯片上电后由外部复位电路对芯片进行复位。

该部分电路设计请参考《Hi3559CV100 硬件设计用户指南》1.1.2节。

小系统相关的外设（例如：存放boot的flash器件）必须先于或同时与Hi3559CV100一起释放复位信号，否则可能会出现无法启动等异常情况。

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客户确认（PASS/NO PASS）

备注

DDR部分的原理图和PCB必须完全拷贝海思的设计文件。

4PCS 4颗粒DDR4设计请拷贝Hi3559CDMEB的设计；8PCS 8颗粒DDR4设计请拷贝Hi3559CDMBPLUS的设计；LPDDR4设计请拷贝Hi3559CDMEBLITE的设计。

为了增加DDR的可靠性，DDR Reset信号需要在颗粒侧增加1nF电容到GND。