PRISEMI芯导电子新品--全面应对手机EOS问题

本文主要是介绍PRISEMI芯导电子新品--全面应对手机EOS问题，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

Prisemi 重磅新品：PESDHC5D7VU、PESDHC5D3V3U
全面应对手机EOS 问题

针对目前智能机、功能机在客户端经常出现以下问题：

a. 使用时无法充电（V_charge 端开路或者短路）；
b. 无法开机（V_bat 短路或者V_bat 端漏电流很大）；
c. 待机时间短、漏电流偏大；
d. Wifi 无法检测信号或敏感度降低。

Prisemi 从过电性应力（EOS）的角度发，结合电磁兼容（EMC）综合的性能要求，考虑用户终端对手机的干扰因素，分别从浪涌(Surge-IEC61000-4-5) 、群脉冲(EFT-IEC61000-4-2) 、静电 (ESD- IEC61000-4-2)三方面进行测试与评估，针对某大型客户机型在客户端反馈较差的机型，反复从抗干扰能力和改善系统设计的角度, 从之前的单机浪涌测试DC 侧 V_Charge 不过 60V,一度将单机浪涌测试 DC 侧 V_Charge 提高到 150V, 并最终通过所有测试, 一举超出目前手机类测试要求。目前基本的原理图设计如下：

在此期间，针对手机的系统设计要求,要求抗外界干扰能力的TVS器件：

► 贴片小封装；
► 高浪涌承受能力，即瞬态通流量大，功率大；

TVS的功率大小和芯片的面积成正比例关系，如要求瞬态通流量大，同功率情况下，只能减小TVS的截止电压，很显然上述是相互制约的。
目前可以支持的 SMD 封装有:DFN1006; SOD923; SOD523; SOD323。很显然SOD323封装较大，而且由于它的高度无法满足MinUSB其他机械设计，所以只能锁定在SOD523封装的设计要求内。要想全面解决整机系统方案，单独一颗SOD523封装的TVS在全功率的情况下，也极难满足系统150V的浪涌测试要求，只有在升级方案和升级工艺两种条件具备的情况下方可，Prisemi 在寻求工艺改进的情况下，同时寻求新的设计方案，在可控的成本设计要求内，最终大获全胜。

Prismei 在V_charge 端开发：PESDHC5D7VU, 其特点如下：
►强大的Surge能力：
       浪涌IEC61000-4-5，24A（8/20µs）
       峰值脉冲功率，400W （8/20µs）
►   EFT 保护能力：IEC61000-4-4，±4kV
►   ESD 保护能力：IEC61000-4-2，±30kV（接触），±30kV（空气）

Prismei 在V_bat 端开发：PESDHC5D3V3U, 其特点如下：
►强大的Surge能力：
       浪涌IEC61000-4-5，23A（8/20µs）
       峰值脉冲功率，250W （8/20µs）
►   EFT 保护能力：IEC61000-4-4，±4kV
►   ESD 保护能力：IEC61000-4-2，±30kV（接触），±30kV（空气）
上述两器件均以极低的动态导通电阻，优秀的抑制电压，满足了系统的综合设计要求，目前主要针对的系统平台有：