STM32CUBEMX开发GD32F303（17）----内部Flash读写

概述

本章STM32CUBEMX配置STM32F103，并且在GD32F303中进行开发，同时通过开发板内进行验证。
本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F103ZET6进行移植，512K大小的Flash。
需要样片的可以加Qun申请：615061293。

csdn课程

课程更加详细。
https://download.csdn.net/course/detail/37152

样品申请

https://www.wjx.top/vm/mB2IKus.aspx

视频教学

https://www.bilibili.com/video/BV1aM411T7Jh/

生成例程

这里准备了自己绘制的开发板进行验证。

配置时钟树，配置时钟为64M。

查看原理图，PA9和PA10设置为开发板的串口。

配置串口。

串口重定向

在main.c中，添加头文件，若不添加会出现 identifier “FILE” is undefined报错。

/* USER CODE BEGIN Includes */
#include "stdio.h"
/* USER CODE END Includes */

函数声明和串口重定向：

/* USER CODE BEGIN PFP */
/* retarget the C library printf function to the USART */
int fputc(int ch, FILE *f)
{HAL_UART_Transmit(&huart2 , (uint8_t *)&ch, 1, 0xFFFF);return ch;
}
/* USER CODE END PFP */

FLASH定义

对于STM32F103，有低、钟、高密度的FLASH类型。

低密度

中密度

高密度

对于STM32F103ZE,FLASH大小为512KB，固为高密度的Flash。

变量定义

/* USER CODE BEGIN 0 */
uint32_t WriteFlashData[3] = {0x11111111,0x22222222,0x33333333};//数据
uint32_t WriteFlashData1[3] = {0x44444444,0x55555555,0x66666666};//数据
uint32_t addr = 0x0807F800;//page 255
uint32_t addr1 = 0x0807FC00;//page 255+1kvoid PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr);
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr);/* USER CODE END 0 */

如果要对FLASH进行写入数据，需要执行以下四步：

1. 解锁FLASH
2. 擦除FLASH
3. 写入FLASH
4. 锁住FLASH

擦除只能是按页或者整块擦除。
STM32F103ZET6和GD32F403ZET6的Flash容量是512KB,所以只有255页，每页2KB。
我们可以写入到页255中，即0x0807F800-0x0807FFFF中。
由于单片机是32位，故连续写入多个uint32_t的数据时，地址应该依次增加4。

/* USER CODE BEGIN 4 *//*FLASH写入程序*/
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr)
{uint32_t i=0;/* 1/4解锁FLASH*/HAL_FLASH_Unlock();/* 2/4擦除FLASH*//*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*//*擦除方式页擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES，块擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*//*擦除页数*//*擦除地址*/FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;FlashSet.PageAddress = addr;FlashSet.NbPages = 1;/*设置PageError，调用擦除函数*/uint32_t PageError = 0;HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);/* 3/4对FLASH烧写*/for(i=0;i<L;i++){HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr+4*i, Data[i]);}/* 4/4锁住FLASH*/HAL_FLASH_Lock();
}/*FLASH读取打印程序*/
void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr)
{uint32_t i=0;for(i=0;i<L;i++){printf("\naddr is:0x%x, data is:0x%x", addr+i*4,  *(__IO uint32_t*)(addr+i*4));}}
/* USER CODE END 4 */

主程序

  /* Infinite loop *//* USER CODE BEGIN WHILE */while (1){/* USER CODE END WHILE *//* USER CODE BEGIN 3 */WriteFlashTest(3,WriteFlashData,addr);WriteFlashTest(3,WriteFlashData1,addr1);PrintFlashTest(3,addr);PrintFlashTest(3,addr1);HAL_Delay(5000);}/* USER CODE END 3 */

演示效果

可以看见，对于高容量，页的大小位2k，故写入addr1时候，addr的数据就被擦除了。