本文主要是介绍闪存浪潮下不得不知的知识(2)-颗粒篇，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
近两年随着闪存颗粒密度增加、价格下降，SSD成为一个炙手可热的话题；今天有幸跟大家交流一下闪存颗粒的相关技术。闪存(Flash)是相对于HDD而言的一种非易失性存储器，Flash分为NOR Flash和NAND Flash，NOR Flash可以当作内存使用直接执行程序，相比DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM具有掉电数据不丢失等特点，所以在嵌入式设备(ARM/MIPS等体系架构)中，一般采用NOR Flash存储BootLoader和OS程序。但今天我们的重点是NAND Flash。
学习过模拟电路的同学都知道，在模电原理里三极管分两种，一种是双极性三极管，主要基于载流子用来做电流放大，另一种叫做CMOS场效应三极管，通过电场控制的金属氧化物半导体。NAND Flash就是基于场效应P/N沟道和漏极、栅极技术通过浮栅Mosfet对栅极充电实现数非易失据储存的。一个晶体单元称作一个Cell，向Cell中充电就是编程或写入数据，通过电平的高低来判断数据是0还是1。在SLC颗粒类型的Flash中，冲入电荷读取到阈值电平为高电平，一般表示数据0。
NAND Flash SSD和HDD的最大区别，其一是SSD通过Flash控制电路选通原理来读/写对应地址数据，不必采用笨拙的机械磁头定位数据外&#
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