本文主要是介绍[NAND Flash 4.3] 闪存的物理学原理_NAND Flash 的读、写、擦工作原理，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
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专栏 《深入理解NAND Flash》
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2.1.3.1 Flash 的物理学原理与发明历程
经典物理学认为
物体越过势垒，有一阈值能量；粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能
量则可以越过。例如骑自行车过小坡，先用力骑，如果坡很低，不蹬自行车也能
靠惯性过去。如果坡很高，不蹬自行车，车到一半就停住，然后退回去。
量子力学则认为
即使粒子能量小于阈值能量，很多粒子冲向势垒，一部分粒子反弹，还会有
一些粒子能过去，好象有一个隧道，称作“量子隧道（quantum tunneling）”。
可见，宏观上的确定性在微观上往往就具有不确定性。虽然在通常的情况下，隧
道效应并不影响经典的宏观效应，因为隧穿几率极小，但在某些特定的条件下宏
观的隧道效应也会出现。
发明历程
1957 年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）在改良高频 晶体管 2T7 的过程中发现，当增加 PN 结两端的电压时电流反而减少，江崎玲於奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。此后，江崎利用这一效应制成了隧道二极
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