本文主要是介绍STM32H7内部Flash的读保护说明（Level0默认，Level1连接保护，Level2设备和自举保护），希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
RDP（read out protection）
1、Level 0（无保护）
默认设置，所有读写和擦除操作都可以正常支持。
2、Level 1 （Flash连接保护）
（1）可以防止连接调试器时读取Flash内容，或者RAM中存有恶意获取代码，也是禁止的。
因此只要调试器连接芯片，或者从内部RAM启动运行代码，都是禁止访问内部Flash的.
（2）如果没有检测到从内部RAM启动，从系统bootloader启动且没有连接调试器，对用户Flash的读写和擦除操作都是允许的，并且其它安全存储区也是可以访问的。否则是禁止访问的，一旦检测到对Flash的读请求，将产生总线错误。
（3）如果将Level 1切换到Level 0时，用户Flash区和安全区域将被删除。
3、Level 2（设备保护和自举保护）
（1）所有调试特性被关系。
（2）禁止从RAM启动。
（3）除了选项字节里面的SWAP位可以配置，其它位都无法再更改。
（4）禁止了调试功能，且禁止了从RAM和系统bootloader启动，用户Flash区是可以执行读写和擦除操作的，访问其它安全存储区也是可以的。
特别注意：Level2修改是永久性的，一旦配置为Level2将不再支持被修改。
一览表：
设置读保护的话，使用HAL的API可以设置，也可以使用STM32CubeProg设置：
这篇关于STM32H7内部Flash的读保护说明（Level0默认，Level1连接保护，Level2设备和自举保护）的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！
