硬件电路知识——LDO常识及电容器直流偏置电压影响

2023-11-01 17:10

本文主要是介绍硬件电路知识——LDO常识及电容器直流偏置电压影响,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

下文内容取自微信公众号:工程师看海

一、简要描述

1.Low Dropout Regulaor,就是低压差线性稳压器,这个低压差就表示它的输入输出电势差不会太大,所以叫低压差.
2.LDO的功耗:PD=[(Vin-Vout)Iout]+(VinIground)
热阻,可理解为散热的阻力,所以封装越小,阻力越大,热阻越大
3.LDO正常工作要VIN>VOUT+VDROPOUT

二.关键截图

1.Vin与Vout关系

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2. 热阻与正常工作考虑

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耗散功率(Power Dissipation)PD

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单从元器件的耗散功率PD来看,当结温达到最大时,此时的功率就是最大的耗散功率。因为耗散功率为元件自身消耗转化为热量的功率,比如上面不同的电流等LDO算出的PD不同。
作为计算结温的参数之一,如果结温一定,可以看出耗散功率和Ta及热阻有关。
(1)比如封装越大,热阻越小,其最大耗散功率也相对大点。
(2)一个具体型号的二极管其耗散功率与测试条件有关,比如测试环境温度和散热条件不同。通常情况下,测试出来的最大耗散功率是在25℃下,因为通常结温都是在25度算。随着环境温度的升高,散热更慢,热阻变大,并且Ta变大,根据等式最大耗散功率变小。比如说在25℃下,某二极管耗散功率能达到1W,在75℃情况下,耗散功率可能变成0.4W。
(3)允许最大耗散功率与散热条件有关,散热条件越好,耗散功率越高,在同一环境温度下,耗散功率为1W,加了散热片之后,耗散功率可能变为1.7W。
所以,在设计时,要根据环境温度,结温、热阻等确定最大耗散功率,确定元器件允许的最大的消耗功率,看情况加散热片或其他措施。

三、电容器与直流偏置电压关系

1.简要描述

当电容两端加直流偏置电压时,容值降低很大,远大于温度对电容容值影响。所以,在电源中普遍用大量大容值电容,并且并联连接。如果放大信号,后级的信号如果有偏置电压,那么也要考虑这个偏置电压的影响,并且选择合适的电容,通常正负双极性的双向电源对此要求不高,而单电源的采集电路,信号一般会在Vcc/2基础上波动,这个直流电压一定要在电路设计中就充分考虑。

2.直流偏置电压、温度对参数影响

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3.应用

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4.实际设计举例(仿真时并不存在影响所以需注意)

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