本文主要是介绍电路原理-反激式电路，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
1、1反激式电路是小功率电源(150W以下)当中，最常用的电路，它的工作原理如下。
1、2如图1，变压器T1，标记红点的端，12、3、A为同名端，10、1、B为异名端。
当MOS管导通的时候，初级绕组N1、次级绕组N、VCC绕组N3感应电动势的方向为10、1、B为+，12、3、A为-。各绕组的电流方向如箭头所示。 初级绕组N1。整流后的高压经过变乐器初级饶组，在初级浇组N1上产生10+、12-的感应电动势。电流流向为10进来，再到12，再到MOS管。 次级绕组N2:由于同名端的关系，在次级绕组N2上产生B+、A-的感应电动势，它的电流方向如图1，蓝色箭头所示，由B流向A，此时次级肖特基
D3反向偏置，处于截止状态,不能导通..这个时候的负载如红色箭头所示，由C4、C5电容给负载进行供电。
VCC绕组N3:由于同名端的关系，在VCC绕组N3上产生1+、3-的感应电动势，看箭头电流方向，此时该绕组不能形成电流通路。IC的供电是由
图9，C2启动电容来提供的。
1、3如图2，当MOS管关断的时候，各绕组的感应电动势反向，初级绕组N1、次级绕组N2、VCC绕组3感应电动势的方向为12、3、A为+，10、1、B为-各绕组的电流方向如箭头所示。
初级绕组N1:由于此时MOS关断，初级绕组N1上产生一个12+、10-的反向感应电动势，12脚也就是MOS管的D极，它们是连在一起的，MOS管的D极会产生一个反向的尖锋电压，通过初级RCD缓冲吸收回路进行释放。
次级绕组N2;由于同名端的关系，在次级绕组N2上产生A+、B-的反向感应电动势，它的电流方向如图2，蓝色箭头，由A流向B，此时次级肖特基D3正向偏置，处于导通状态。此时的负载是由次级铙组N2进行供电。大家看红色箭头次级饶组N2同时会给C4、C5电容充电。
VCC绕组N3:由于同名端的关系，在VCC绕组N3上产生3+、1-的反向感应电动势，D2二极管正向导通.IC的供电是由图10，由VCC绕组N3供电，同时VCC绕组N3对启动电容进行充。
反激式电路原理也可以简单的理解，初级导通，绪存能量，次级关断。初级关断，次级导通，释放能
2、原理图分析
2、1反激式电路图原边反馈电路和副边反馈电路。
2、2如图3，是常用的副边反馈电路，我们就来对这个电路坐具体分析
2、3 交流输入到整流桥
如图4，因为AC交流电的波形是正弦波，半个周期内，L线电压会高于N线电压，另外半个周期，L线电压会低于N线电压。
如图5，图6，红色箭头所示，分别为AC交流电的正半周、负半周电流流向。
F1 当电路不正常的时候，有大电流产生时，先会烧坏保险丝，从而保护整个后级电路.
NTC1 避免开机瞬间，防浪涌电流冲击，保护后级电路。
MOV1 抑制浪涌电压，另外配合前端的保险丝一起，起到防雷击的作用，保护后级电路。
L1、L2 滤波，滤同时加在L、N线的共模干扰信号，EMI测试时，过传导干扰测试用。
CX1, 滤波，滤L、N线之间的差模于扰信号，EMII测试时，过传导干扰测试用。
R1、R2 当输入插头拔掉时，释放CX1电容储存的电能。
BD1 整流，把输入交流电压变成直流电压。
2、4 初级主回路 MOS管导通关断
如图7，图8，为M0S管导通关断时的电流流向。
C1 整流后，储能,滤波。
Q1 过IC6脚Pw波驱动，实现开关作用。
R22 限流电阻，MOs管导通的时候，通过检测R22上的电压，进入到IC4脚，跟IC内部的阀值电压进行比较，来控制过流点。
D1 给OS管关断时产生的尖峰电压提供一个释放通路。
R5、R6、R7 吸收MOs管关断时产生的尖峰电压，用来消耗能量-
c3 因为该电容容值比较小，容抗比较大，能用来抑制MOS管关断时产生的瞬态高压。经常还会串一个电阻R8，
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