INVS利用gatearray实现post-mask的function ECO

2024-06-22 21:20

本文主要是介绍INVS利用gatearray实现post-mask的function ECO,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

随着现代IC的设计发展,设计的规模和复杂度逐步增加,对于验证完备性的挑战越来越大,加之TO的时间压力,芯片设计通常会出现下列的场景:

  • 芯片回片一次点亮
  • 大部分的case都可以顺利通过
  • 小部分的功能需要修正

对于重要的特性三,用户可以选择gatearray的cell高效的完成这一个任务。闲言少叙,ICer GO!

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由于·硬件设计天然的特性,大部分芯片都会有reversion的计划,有时候也被称作engineering sample# (ES1,ES2,etc.)。产品的迭代效率通常都是reversion的重要因素,所以基于TO数据的bug高效修复(迭代快,成本可控)的要求就显得极为重要。

TO数据space cell方式

基于前端设计经验,在芯片里边规律性的撒一些spare cell,作为后续版本的bug修复使用,但是这种方法局限性比较大:

  • Spare cell的难以匹配设计修改的要求:
    • 功能不全:对于bug,通常都具有未知性,很难做到有的放矢,spare cell的功能经常被bug fix人员诟病功能不完备
    • 距离不合适:bug修复需求的物理位置和spare cell的位置相去甚远,
      • 绕线挑战大,可能会占用很多的metal 资源,导致postmask metal fix的mask费用很高,周期很长
      • 时序挑战:太远的距离,导致transiton/cap都有新的变化,甚至需要使用更多的器件实现setup/hold的修复,都是潜在的时序挑战
  • Spare cell对资源的浪费
    • 放置资源:spare cell会切实的占用std-cell的某些区域,为保证分布性,spare cell通常位置较为固定,这个对于APR flow的数据优化会产生一定程度上的不利影响
    • 绕线资源:spare cell的input 都需要tie connection(防止栅极浮空被击穿),这些tie connection也是对绕线资源的消耗。

所以,实际芯片的funciton bug ECO的时候,眼睁睁的看着分布式的spare cell,就是用不起来,只能干瞪眼。心里默念,要是当时在某某区域多撒点某某cell该多好啊。像极了学生时代拿到成绩的我们:要是考前把那个啥多看看,这部又能提高几分。永远的如果,永远的下一次,反反复复无穷尽啊!

gatearray方式的特点和用法

为了缓解这种问题,现在的std-cell开发商,在提供标准的std-cell库的基础上,也会提供给用户用于post-mask的ECO 库,由于设计结构的原因,这个库通常被称为:std-cell gatearray 库。是一种类似乐高积木的拼接方式来完成std-cell的构建。

ECO 库的特点

基于gatearray设计的ECO库,所有的cell的版图,都是使用基础单元搭建起来的(gate),然后通过更改metal的方式来实现不同的功能,这个·和传统的std-cell的设计思路是完全不同的。

只要是等宽的ECO cell,cell之间通常只有一层或两层metal不同,意即:只改动metal就可以实现功能变化。譬如下例:等宽度的ECO filler cell 和FILLER cell的GDS比对XOR:

可以看到:ECO filler cell和ECO function cell只有M1不相等(baselayer 是完全一样的),具体XOR区别见下图:

这样就可以通过嗲用芯片里边现有的ECO filler cell,基于用户需求,改变有限的metal层,从而实现任意功能的转化,

  • ECO filler -> ECO function cell
  • ECO function cell -> ECO filler

ECO 库的postmask bug fix 的应用流程

postmask的改版,最麻烦的当属功能修正,如果想更换一个cell的功能,通常要动到baselayer和metallayer。但是基于gatearray的ECO库,则可以有效规避baselayer的改动,从而可以高效的完成postmask function bug fix。

ECO lib VS. std-cell LIB

在使用ECO库之前,先看一下ECO cell和普通std-cell的版图区别

在原本的std-cell和ECO库中挑选相同功能/驱动力的cell

  • INVX2
  • GAINVX2
版图差异

通过XOR,可以看到,这两个cell的画法是不太相同的

包括有源区,POLY区个connect去都不太一样(PS: cell boundary 是一样的)。基本可以判定,这样的cell就是不同设计需求的产物

时序差异

从lib上看,两者的面积是一样的,这个case的时序也是基本类似的:

ECO库的cell特点

为了有效的利用ECO库,通常都会提供各种功能的器件,同时为了降低ECO库的设计难度,通常会弱化对驱动力不要求。以当前case为例,相较std-cell 库,ECO拥有了常规的与或非门,FF等,驱动力有所限制:

FunctionECO lib驱动力Std-cell lib 驱动力
ANDX1/X2X1/X2/X3/X4/X6/X8
AND_into_ORX1X1/X2/X3
DELAYX1/X2X1
MUXX1/X2X1/X2/X3/X4/X6/X8/X12
NANDX1/X2/X3X1/X2/X3/X4/X6/X8
NORX1/X2X1/X2/X3/X4/X6/X8
ORX1/X2X1/X2/X3/X4/X6/X8
XNRX1/X2X1/X2/X3/X4/X6/X8
XORX1/X2X1/X2/X3/X4/X6/X8
INVX1/X2/X3/X4/X8X1/X2/X3/X4/X6/X8/X12/X16/X20
BUFFERX1/X2/X3/X4/X8X1/X2/X3/X4/X6/X8/X12/X16/X20
DFFX1/X2X1/X2/X4
ECO库的使用方法

为了方便GA(gatearray)进行功能替换,ECO 库将所有的cell分成两类:

  • FILLER
  • Function cell

由于所有的cell的base-layer都是一样的,那么这里可以利用这个特性实现postmask的function metal fix方法。

  1. 数据准备:
  • 在TO的数据库上使用ECO FILLER进行填充。
  • 在ECO FILLER不能覆盖的区域,使用common filler进行填充,确保NWELL的连续
  1. 功能修复
  • 基于芯片测试结果,出具bug fix方案
  • 使用ECO function cell构建相关ECO的脚本
  1. ECO cell 置换
  • 在具有ECO FILLER填充的数据库中带入上述ECO脚本
  • 使用ecoPlace方法,完成对与ECO function cell的器件替换

INVS会使用满足ECO function cell宽度的ECO filler区域,完成这个替换

  1. 版层变动验证

导出GDS,使用GDS XOR工具,确保bug fix后的GDS和原始GDS只有metal layer的差异

  1. 完成绕线:在APR工具里边完成绕线

  2. 对数据和进行timing、LV和power的签收验证

  3. 使用最终的数据库再次和原始TO的GDS进行XOR比对:出具版层变动的差异信息。触发新的TO

对于上述流程有以下几点需要注意:

  • 设计人员需要使用ECO lib里的function cell进行bug fix
  • ecoPlace的动作比较关键,用户需要仔细查验这个动作的日志和数据库。步骤如下:
    • 删除现有所有的ECO filler
    • 将ECO function cell放置到相连接cell的附近
    • 恢复之前ECO filler的位置,在改动的区域,对于ECO filler cell做出做适当调整

INVS将原先的GA_FILLERX4置换成:GA_FILLERX2 + GA_INV,完成了一次post-mask的function ECO动作。通过XOR查验。整个芯片只有这里的metal发生变化,其他的部位都没有变化,符合post-mask的metal fix的设计预期

PS:具体INVS的流程脚本会上传到星球,请各位按需取拿

【敲黑板划重点】

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利用gatearray修复postmask的function bug,事半功倍!

参考资料

Cadence Innovus User Guide

这篇关于INVS利用gatearray实现post-mask的function ECO的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!



http://www.chinasem.cn/article/1085449

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