STM32H750 QSPI FLASH使用小结

本文主要是介绍STM32H750 QSPI FLASH使用小结，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

根据ST的参考手册描述，h750的片内flash只有128kb，在实际的项目应用中，128kb的容量有点太小了，有时候光光移植好lwip+freertos以后，flash的容量就所剩无几了，所幸可以使用QSPI FLASH来存放程序代码，可以把程序的部分或者整个程序都存放在QSPI FLASH中运行。这里介绍两种不同的方法。

一、通过分散加载文件的方式

本文中使用的是正点原子北极星板子的例程，跑马灯实验。例程比较简单，主要是看分散加载文件，在最后有一个LR_m_qspiflash加载域，这个就是将代码存放到QSPI FLASH的。分散加载文件的具体细节就不在这边讨论了。

当然，光光靠配置分散加载文件，是无法把程序下载到板子上的，因为有一部分RO是要下载到片外的flash的，因此这边还需要使用特殊的片外flash算法。在正点的资料有有提供这一算法。通过添加算法的方式，这时应该能够将程序下载到板子上了，但是，这个时候程序不一定能够跑起来，还有一个重要的步骤，那就是初始化QSPI，并设置成内存映射模式。正点的例程中是将初始化操作放在了时钟初始化函数中。至此，程序就能够正常运行了。

#! armcc -E 
//  
//STM32H750分散加载文件(.scf文件)
//ALIENTEK STM32开发板  
//正点原子@ALIENTEK
//技术论坛:www.openedv.com
//创建日期:2019/4/21
//版本：V1.0
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//修改说明
//无
//#define m_stmflash_start				0X08000000		//m_stmflash(STM32内部FLASH)域起始地址
#define m_stmflash_size					0X20000			//m_stmflash(STM32内部FLASH)大小,H750是128KB#define m_qspiflash_start				0X90000000		//m_qspiflash(外扩QSPI FLASH)域起始地址
#define m_qspiflash_size				0X800000		//m_qspiflash(外扩QSPI FLASH)大小,W25Q64是8MB#define m_stmsram_start					0X24000000		//m_stmsram(STM32内部RAM)域起始地址,定义在D1,AXI SRAM
#define m_stmsram_size					0X80000			//m_stmsram(STM32内部RAM)大小,AXI SRAM共512KBLR_m_stmflash m_stmflash_start m_stmflash_size {		//LR_m_stmflash加载域ER_m_stmflash m_stmflash_start m_stmflash_size {		//ER_m_stmfalsh运行域,起始地址为:m_stmflash_start,大小为:m_stmflash_size *.o (RESET, +First)									//优先(+FIRST)将RESET(中断向量表)段放这个域,实际上就是把中断向量表拷贝到m_stmflash_start//RESET是一个段名,表示中断向量表(在.s文件定义);+FIRST表示时第一个要加载的.* (InRoot$$Sections)								//将所有的库段(C/C++标准库)放在root region.如__main.o,__scatter*.o等* (Veneer$$Code) libinit.olibinit2.olibshutdown.olibshutdown2.o__rtentry.o__rtentry2.o__rtentry4.ortexit.ortexit2.o use_no_semi_2.oheapauxi.ouse_no_semi.osys_stackheap_outer.oexit.olibspace.ofpinit.olludivv7m.ostartup_stm32h750xx.ort_locale_intlibspace.o  lc_numeric_c.o lc_ctype_c.ostartup_stm32h750xx.osystem_stm32h7xx.ostm32h7xx_hal.ostm32h7xx_hal_cortex.ostm32h7xx_hal_rcc.ostm32h7xx_hal_gpio.ostm32h7xx_hal_msp.omain.o sys.o usart.odelay.o} RW_m_stmsram m_stmsram_start m_stmsram_size {			//RW_m_stmsram运行域,起始地址为:m_stmsram_start,大小为:m_stmsram_size..ANY (+RW +ZI)										//将所有用到的RAM都放在这个区域}
}LR_m_qspiflash m_qspiflash_start m_qspiflash_size {		//LR_m_qspiflash加载域ER_m_qspiflash m_qspiflash_start m_qspiflash_size {	//ER_m_qspiflash加载域,起始地址为:m_qspiflash_start,大小为:m_qspiflash_size .ANY (+RO) 											//将只读数据(+RO)放这个域,任意分配.相当于程序就是存放在这个域的.}															 
}

以上分散加载文件，由正点原子编写，为了方便大家使用，不用频繁修改.sct 文件，特意

将.ANY ROM 区域放在外部 SPI FLASH，这样大家在新增.c 参与编译时，默认就是存放在外部

SPI FLASH 的，这样使用起来就更方便。

注意：

1，如果你新增的代码，对速度有要求，可以将其对应的.o 添加到内部 FLASH，即放在：

ER_m_stmflash 运行域。

2，如果添加新代码后，程序无法正常运行（通常表现为黑屏/不启动），可以尝试将新增

的.o 放到 ER_m_stmflash 运行域后（重新编译）再尝试。如果还不行，可以尝试将所

有代码都放到 ER_m_stmflash 运行域后再尝试。