NAND flash测试-雷龙发展

本文主要是介绍NAND flash测试-雷龙发展，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

　　文章目录

　　一、简介

　　二、速度测试

　　最近比较忙，也一直没空发什么文章，这算是新年第一篇吧，正好最近收到了一个雷龙的flash芯片，先拿来玩一下吧。

　　有兴趣的小伙伴可以去雷龙官网找小姐姐领取一个免费试用。

　　一、简介

　　大概样子就是上面这样，使用LGA-8封装，实际上驱动也是通用SD卡的驱动，相比与SD卡可以直接贴片到嵌入式设备中，并且体积更小，数据存储和SD卡存储一样。

　　我使用的型号是CSNP1GCR01-AOW，

　　不用写驱动程序自带坏块管理的NAND Flash（贴片式TF卡），

　　尺寸小巧，简单易用，兼容性强，稳定可靠，

　　固件可定制，LGA-8封装，标准SDIO接口，

　　兼容SPI/SD接口，兼容各大MCU平台，

　　可替代普通TF卡/SD卡，

　　尺寸6x8mm毫米，

　　内置SLC晶圆擦写寿命10万次，

　　通过1万次随机掉电测试耐高低温，

　　支持工业级温度-40°~+85°，

　　机贴手贴都非常方便，

　　速度级别Class10（读取速度23.5MB/S写入速度12.3MB/S）

　　标准的SD 2.0协议使得用户可以直接移植标准驱动代码，省去了驱动代码编程环节。

　　支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND

　　，提供STM32参考例程及原厂技术支持，

　　主流容量：128MB/512MB/4GB/8GB，

　　比TF卡稳定，比eMMC便宜，

　　样品免费试用。

　　实际应用场景

　　新一代SD NAND主要应用领域

　　•5G

　　•机器人

　　•智能音箱

　　•智能面板(HMI)

　　•移动支付

　　•智能眼镜(AR)

　　•智能家居

　　•医疗设备

　　•轨道交通

　　•人脸识别

　　•3D打印机

　　二、速度测试

　　手里正好还有一张内存卡，那么就做下对比测试：

　　先理解下下面这四种测试的含义：

　　SEQ1M|Q8T1表示顺序读写，位深1024K，1线程8队列的测试速度

　　SEQ1M|Q1T1表示顺序读写，位深1024K，1线程1队列测试速度

　　RND4K|Q32T16表示随机读写，位深10244K，16线程32队列的测试速度

　　RND4K|Q1T1表示随机读写，位深10244K，一线程一队列的测试速度

　　那么由于CSNP1GCR01-AOW是512M的，那么就统一使用256M的随机读写来测试

　　CSNP1GCR01-AOW读写速度：

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CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo

                                  Crystal Dew World: https://crystalmark.info/

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* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]

* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]

  SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):    18.242 MB/s [     17.4 IOPS] <437121.30 us>

  SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):    18.409 MB/s [     17.6 IOPS] < 56695.70 us>

  RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     4.807 MB/s [   1173.6 IOPS] < 27159.12 us>

  RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     4.215 MB/s [   1029.1 IOPS] <   968.89 us>

[Write]

  SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):     7.326 MB/s [      7.0 IOPS] <1026141.24 us>

  SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):     7.549 MB/s [      7.2 IOPS] <138263.48 us>

  RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     2.453 MB/s [    598.9 IOPS] < 52662.34 us>

  RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     2.029 MB/s [    495.4 IOPS] <  1987.79 us>

Profile: Default

   Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/481MiB)]

   Mode: [Admin]

   Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec 

   Date: 2024/01/15 11:35:30

     OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)

　　内存卡读写速度：

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CrystalDiskMark 8.0.4 x64 (C) 2007-2021 hiyohiyo

                                  Crystal Dew World: https://crystalmark.info/

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* MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s]

* KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes

[Read]

  SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):    17.579 MB/s [     16.8 IOPS] <454375.89 us>

  SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):    18.236 MB/s [     17.4 IOPS] < 57188.36 us>

  RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     5.105 MB/s [   1246.3 IOPS] < 25574.24 us>

  RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     4.622 MB/s [   1128.4 IOPS] <   884.01 us>

[Write]

  SEQ    1MiB (Q=  8, T= 1):     1.676 MB/s [      1.6 IOPS] <3669329.62 us>

  SEQ    1MiB (Q=  1, T= 1):     7.962 MB/s [      7.6 IOPS] <130440.09 us>

  RND    4KiB (Q= 32, T= 1):     0.018 MB/s [      4.4 IOPS] <2106948.05 us>

  RND    4KiB (Q=  1, T= 1):     0.015 MB/s [      3.7 IOPS] <251984.23 us>

Profile: Default

   Test: 256 MiB (x5) [F: 0% (0/953MiB)]

   Mode: [Admin]

   Time: Measure 5 sec / Interval 5 sec 

   Date: 2024/01/15 11:53:09

     OS: Windows 10 Professional [10.0 Build 19044] (x64)

这篇关于NAND flash测试-雷龙发展的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！

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