本文主要是介绍存储器名称，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
一、RAM:
易失性，即断电后RAM里面的数据就没了。
1、SRAM: SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲cache。
2、DRAM: 动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
二、FLASH:
flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。Flash 的编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写为1。所以在 Flash 编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为 1的过程，块内的所有字节变为0xFF。
而我们平时接触最多的就是RAM即内存，这里主要也是讲内存与flash的区别：易失性，即断电后RAM里面的数据就没了，而fhash里面的数据依然存在。
1、NOR FLASH:
NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。
2、NAND FLASH:
Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
3、EMMC:
eMMC 相当于 NandFlash+主控IC ，对外的接口协议与SD、TF卡一样，主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，同样的重要。
4、AND flash与 NOR flash的区别
1）NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR在开发板中应用的非常广泛，通过JTAG/JLINK把boot烧到NOR中，通电后自动运行。这也是NAND和NOR最主要的区别。
2）NORflash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节；NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息；NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
3）NAND的写入速度比NOR快很多，所以NAND适合用于存储数据。如U盘（NAND）存储数据比较快。
4）NOR的读速度比NAND稍快一些。
5）NAND的4ms擦除速度、编程速度远比NOR的5s快。
6）NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
7）在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。
8）NAND器件中的坏块是随机分布的，对介质进行初始化扫描发现坏块,并将坏块标记为不可用。在烧写内核到NAND的时候，经常有发现坏块提示。
9）由于Flash固有的电器特性，在读写数据过程中偶然会产生1位或几位数据错误，即位反转，NAND Flash发生位反转的几率要远大于NOR Flash。位反转无法避免，因此，使用NAND Flash的同时，应采用错误探测/错误更正（EDC/ECC）算法。
10）NANDFlash与NOR Flash相比容量大。
这篇关于存储器名称的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！
