本文主要是介绍嵌入式linux开发 (二十四) 内存管理(6) 芯片及芯片启动后对内存的简单管理总结,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
之前分析了三个芯片,不同的微架构,不同的生产厂家,对内存管理做的努力
然后我又粗略分析了一个exynos4412的内存管理
芯片 | stm32f407zgt6 | s3c2440 | i.mx6ull | exynos4412(无详细分析) |
---|---|---|---|---|
架构 | ARMv7 | ARMv5t | ARMv7 | ARMv7 |
微架构 | cortex-M4 | ARM920T | cortex-A7 | cortex-A9 |
厂家 | 意法半导体 | 三星 | 飞思卡尔(被NXP收购) | 三星 |
相同部分
- 都有boot配置,可以配置从不同方式启动
- 都有flash用来存储代码.
- 都有sram,可以用来在boot时存储执行代码. // s3c2440 boot模式中的从nor boot 用不到
- 都会执行到用户代码.
不同部分
- boot配置不同stm32 可以 从 主flash sram1 系统flash 启动s3c2440 可以从 nand nor 启动i.mx6ull 设置了两级启动,一级启动 从 FUSE 串行下载 从bootrom启动(包含二级启动,从QSPI WEIM Serial-ROM SD eMMC NAND 中的一种 加载代码到ddr)exynos4412 设置了两级启动,一级启动从 iROM 启动(包含二级启动,从General NAND flash memory ,SD/MMC memory card ,eMMC memory ,USB device) // USB booting is provided for system debugging and flash reprogramming, not for normal booting
- 存储用户代码的flash不同stm32 用的是芯片自带的主flash(1MB)s3c2440 用的是 nand(256MB) 或者 nor(128MB)i.mx6ull 用的是 QSPI WEIM Serial-ROM SD eMMC NAND 中的一种exynos4412 用的是 General NAND flash memory ,SD/MMC memory card ,eMMC memory中的一种
- sram大小不同stm32 128KB(SRAM1 112 KB + SRAM2 16KB)s3c2440 4KBi.mx6ull 128KBexynos4412 256KB
- 执行到用户代码的过程不同stm32 主flash映射到0x00000000,并从 0x00000000 执行代码s3c2440 如果从nor启动,XIP(nor本来就是0地址);如果从nand ,则 将nand前4KB映射(或者拷贝)到0地址. 从 0x00000000 执行代码i.mx6ull 从bootrom启动,加载二级启动设备中的数据初始化ddr,并将用户代码(bin文件)搬移到指定位置(sram或者ddr),然后从 指定位置 执行代码exynos 从 iROM启动,做一系列初始化,加载二级启动设备的数据(256KB)进iRAM,并做校验,然后执行该256KB代码
- 芯片官方做的封装程度不一样 (Lx , x越大,封的越多)stm32 封装程度L4,(做了内存分段,连C库都初始化好了),用户代码需要做做功能部分s3c2440 封装程度L1,用户代码需要做1.关看门狗2.初始化ddr3.处理在在ddr上执行代码的问题4.内存分段5.初始化C库6.做功能部分i.mx6ull 封装程度L3,用户需要1.内存分段2.初始化C库3.做功能部分exynos 封装程度L2,用户需要写BL1和BL21.初始化ddr2.处理在在ddr上执行代码的问题 // 将代码拷贝到ddr3.内存分段4.初始化C库5.做封装部分
- 根据芯片封装年份看封装程度
芯片 | 年份 | 厂商 | 封装程度 |
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stm32f407zgt6 | 2012 | 意法半导体 | L4 |
i.mx6ull | 2017 | 飞思卡尔 | L3 |
exynos4412 | 2012 | 三星 | L2 |
s3c2440 | 2004 | 三星 | L1 |
这篇关于嵌入式linux开发 (二十四) 内存管理(6) 芯片及芯片启动后对内存的简单管理总结的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!