Micro and Nanostructures 189 (2024) 207815文献于阅读总结。 本文是关于使用SiC衬底AlN/GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的研究，特别是探讨了不同缓冲层对器件性能的影响，以应用于高速射频（RF）应用。研究主要关注如何选择一个成本效益高、厚度超过1微米且缺陷较少的缓冲层，以改善直流（DC）和射频（RF）性能。研究中特别提到了使用β-Ga2

引言 通过有效控制AlN薄膜与Si衬底之间的界面反应，利用脉冲激光沉积（PLD）在Si衬底上生长高质量的AlN外延薄膜。英思特对PLD生长的AlN/Si异质界面的表面形貌、晶体质量和界面性能进行了系统研究。 我们研究发现，高温生长过程中形成非晶SiAlN界面层，这是由于高温生长过程中烧蚀AlN靶材时，衬底扩散的Si原子与脉冲激光产生的AlN等离子体之间发生了严重的界面反应所致。相反，通过在合适

按收入计，2022年全球蓝宝石基AlN模板收入大约12百万美元，预计2029年达到37百万美元，2023至2029期间，年复合增长率CAGR为 17.8%。同时2022年全球蓝宝石基AlN模板销量大约 ，预计2029年将达到 。2022年中国市场规模大约为 百万美元，在全球市场占比约为 %，同期北美和欧洲市场分别占比为 %和 %。未来几年，中国CAGR为 %，同期美国和欧洲CAGR分别为 %和 %