1200V碳化硅汽车MOSFET系列已开发用于当前和未来混合动力和电动汽车的车载充电器和DC-DC应用。 基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术结合. xt互连技术，碳化硅MOSFET专为满足汽车行业在可靠性、质量和性能方面的高要求而设计。 1200 V开关中最低的门电荷和器件电容水平，内部换向证明体二极管无反向恢复损耗，温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性保证了无扰设计和易于控制的应用设计。 紧凑型S